GaN SiC三代半功率器件測試設備

  普賽斯功率器件靜態(tài)參數(shù)測試系統(tǒng),集多種測量和分析功能一體,可以精準測量功率半導體器件的靜態(tài)參數(shù),具有高電壓和大電流特性、uQ*精確測量、nA*電流測量能力等特點。支持高壓模式下測量功率器件結電容,如輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容等。

IGBT測試系統(tǒng)圖

    普賽斯功率器件靜態(tài)測試系統(tǒng)配置由多種測量單元模塊組成,系統(tǒng)模塊化的設計能夠極大方便用戶添加或升*測量模塊,適應測量功率器件不斷變化的需求。

“雙高”系統(tǒng)優(yōu)勢

    高電壓、大電流

    具有高電壓測量/輸出能力,電壓高達3500V(蕞大可擴展至10kV)

    具有大電流測量/輸出能力,電流高達6000A(多模塊并聯(lián))

    高精度測量

    nA*漏電流, μΩ*導通電阻

    0.1%精度測量

    模塊化配置

    可根據(jù)實際測試需要靈活配置多種測量單元系統(tǒng)預留升*空間,后期可添加或升*測量單元

    測試效率高

    內置專用開關矩陣,根據(jù)測試項目自動切換電路與測量單元

    支持國標全指標的一鍵測試

    擴展性好

    支持常溫及高溫測試可靈活定制各種夾具

測試項目
集電極-發(fā)射極電壓Vces，集電極-發(fā)射極擊穿電壓V(br)ces、集電極-發(fā)射極飽和電壓Vcesat
集電極截止電流Ices、柵極漏電流Iges
柵極-發(fā)射極電壓Vges、柵極-發(fā)射極閾值電壓Vge(th)
輸入電容、輸出電容、反向傳輸電容
續(xù)流二極管壓降Vf
I-V特性曲線掃描，C-V特性曲線掃描等

普賽斯儀表專業(yè)研究和開發(fā)半導體材料與器件測試的專業(yè)智能裝備，產品覆蓋半導體領域從晶圓到器件生產全產業(yè)鏈。推出基于高精度數(shù)字源表(SMU）的第三代半導體功率器件靜態(tài)參數(shù)測試方案，為SiC和GaN器件提供可靠的測試手段，實現(xiàn)功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)的高精度、**率測量和分析。如果您對普賽斯功率半導體器件靜態(tài)參數(shù)測試方案和國產化高精度源表感興趣，歡迎隨時聯(lián)系我們！詳詢一八一四零六六三四七六；

聯(lián)系我們： 

單位名稱：武漢普賽斯儀表有限公司

網站：http://www.whpssins.com

單位地址： 武漢市東湖技術開發(fā)區(qū)光谷三路777號6號保稅物流園6號樓4樓402室

聯(lián)系人：陶女士

聯(lián)系電話：18140663476/027-87993690

工作QQ：1993323884

郵箱：taof@whprecise.com